아이폰 과열에 대한 삼성증권의 짧은 보고서를 간략하게 요약해 보겠습니다. iPhone 15 Pro 발열 문제
iPhone 15 Pro 발열 최대 48도 문제 보고 TSMC의 3nm 모바일 AP는 발열의 진원지로 알려져 있음 TSMC FinFET 구조의 한계
트랜지스터에서는 전류가 게이트를 중심으로 소스에서 드레인으로 흐르며 제어됩니다. 전압에 의해 동작하는 게이트의 제어에 따라 전류가 제대로 흐르는지 판단하는 문제는 4nm 이후에는 회로 갭이 극도로 줄어들고 전류 누출로 인한 제어가 어려워진다는 점이다. 어려워진다. 구조적인 변화가 필요합니다. 채널이 수직으로 세워져 있고 게이트와 채널의 3면이 접촉하는 FinFET와 달리 GAA는 채널이 게이트 안으로 파고 들어가고 게이트가 채널의 4면을 모두 감싸는 방식으로 전류 흐름을 보다 세밀하게 제어할 수 있습니다. 삼성전자는 3nm부터 GAA(Gate All Aroud) 구조로 기존 FinFET에 대한 새로운 대안을 시도했습니다. TSMC는 3nm FinFET을 사용하고 2nm에서는 GAA를 도입할 계획입니다. FinFET을 적용한 TSMC의 3nm에서 발열이 문제라면, 고객 입장에서는 TSMC 이외의 멀티소싱을 권장합니다. 생각해 볼 점: 삼성전자에게는 좋은 소식이다
출처 : 삼성반도체 스토리
삼성전자 vs TSMC 수익률
TSMC의 강점은 전압, 누설전류 등의 문제보다는 수율 관리가 매우 높다는 점이다. 3nm도 수율이 70~75%입니다. 하지만 삼성전자의 수율도 많이 좋아지고 있다. 5nm에서 NVIDIA의 낮은 수율 문제가 있었음에도 불구하고 초기 수율은 낮았습니다. 20% 정도로 낮았습니다. 삼성전자는 3나노 수율이 70% 수준인 것으로 알려졌다. TSMC는 이전 경험으로 인해 절대우위를 갖고 있지만 격차가 크게 줄어든 것으로 평가된다. 삼성전자 vs TSMC 설비투자
TSMC의 지난해 설비투자는 약 47조원으로 삼성의 설비투자(10조원 중반)의 3배 가까이 된다. TSMC는 올해 약 39조원을 투자할 것으로 예상된다. 삼성이 초반 10조원을 투자했던 것과 비교해 3배 수준이다. 설비투자 격차는 여전히 크다. 마틴산체스, 출처. 언스플래쉬